当前位置：网站首页 » 导读 » 内容详情

mos管导通条件新上映_mos管导通条件,结合电路详细分析(2024年11月抢先看)

内容来源：方新你好影院所属栏目：导读更新日期：2024-11-27

mos管导通条件

在相同功率和相同耐压的条件下，IGBT的导通电阻通常比NMOS管更低。这一结论主要基于IGBT和NMOS管在内部结构和工作原理上的差异。 IGBT是一种复合型半导体器件，由晶体三极管和MOS管组成，其内部结构设计使得在高电压下仍能保持较低的导通电阻。相比之下，NMOS管在高压大电流场合下，由于导通电阻随耐压升高而迅速增大，其导通电阻通常会比IGBT高。然而，需要注意的是，导通电阻的大小还受到制造工艺、材料、温度等多种因素的影响。因此，在具体应用中，还需要根据具体的产品规格和测试数据来确定两者的导通电阻差异。此外，IGBT和NMOS管各有其优缺点和适用场景。IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，而NMOS管则具有高频特性好、开关速度快等优点。因此，在选择使用哪种器件时，需要根据具体的应用需求和电路设计要求进行综合考虑。金典语录

同型号MOS管通过串联提高耐压是可行的，但需注意以下几点：原理分析：在串联电路中，各个元件承受的总电压是相等的，因此当多个同型号MOS管串联时，每个管子承受的电压将会降低，总的电压耐压将是各个MOS管电压耐压之和，从而提高整体的耐压能力。性能参数：尽管是同型号的MOS管，其性能参数（如阈值电压、导通电阻等）也可能存在一定的差异。这些差异可能会导致在串联连接中，电流在不同管子之间的分配不均等。如果某个管子的电流过大，可能会导致其过热甚至损坏，从而影响整个电路的稳定性。热稳定性：在高压工作条件下，MOS管会产生一定的热量。如果散热不良，可能会导致管子温度过高，影响其性能和寿命。因此，在选择串联管子时，需要充分考虑其热稳定性和散热性能。为确保串联连接的稳定性和可靠性，可以采取以下措施：选取性能参数相近的管子进行串联，以减少电流分配不均等问题。在电路中增加散热装置，提高管子的散热性能。通过合理的电路设计，如增加限流电阻等，来保护管子免受过大电流的损害。综上所述，同型号MOS管通过串联提高耐压是可行的，但需注意性能参数、热稳定性以及采取相应措施来提高连接的稳定性和可靠性。

电源波形振铃问题解决方案详解 𐟌𑣀现象解析】在电源波形的尖峰过高时，会产生高频的剧烈电流变化，这会导致电磁干扰（EMI）问题。如果尖峰过高，可能会击穿内部开关管。振荡尖锋通常怀疑是LC阻尼振荡引起的。 𐟔‹【概念介绍】以DC-DC的buck电路为例，sw信号在芯片内部直接连接两个mos管，上管连接到电源，下管连接到地。 𐟔【问题根源】当两个管子处于半导通态时，回路电阻增大，功率电感无法续流。那么在转换期间，电感电流主要从下管的体二极管流过。由于体二极管的导通电压较高，可以选用肖特基二极管并联在SW和GND之间，以提高整体效率。这是解决死区时间的方法；但是尖峰振铃问题呢？ 𐟛 ️【解决方案】在输入端增加阻容吸收电路，防止浪涌在输出端增加滤波电路在mos管脚处增加磁珠 𐟌【PCB布局建议】减小mos管的寄生电感是减小振铃的关键。在PCB布局时，注意减小寄生电感。

直流变交流H桥中，不同方案的效率主要取决于所使用的开关器件及其特性。一般来说，MOS管（如MOSFET）驱动的方案效率较高，因为MOS管的导通压降较小，导通电阻低，从而减少了在导通过程中的能量损耗。具体来说，MOS管在导通时，其压降主要由导通电阻决定，而高质量的MOS管通常具有非常低的导通电阻，这使得在通过相同电流时，MOS管上的压降远小于其他类型的开关器件，如三极管或集成电路H桥（如L298N）。因此，在相同的条件下，MOS管驱动的H桥能够将更多的能量输出给负载，从而提高整体效率。然而，需要注意的是，虽然MOS管驱动的方案效率较高，但其成本也可能相对较高，且对技术要求也较高。此外，在选择H桥方案时，还需要考虑其他因素，如安全性、可靠性、成本以及实际应用需求等。综上所述，直流变交流H桥中，MOS管驱动的方案通常具有较高的效率，但具体选择还需根据实际应用情况综合考虑。

PMOS电路设计详解：从原理到实践今天我们来详细讲解一个PMOS电路的设计，了解各个元器件在电路中的作用。这个电路中，Q1是一个NPN三极管，Q2是PMOS管，MCU通过高低电平控制三极管Q1的导通和关断。 𐟔 当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin。此时Q2的源极电压VS也等于Vin，Q2的G、S两端的电压等于0，Q2关断，VOUT输出关断。 𐟔„ 当Q1导通时，A点电压为0，此时的Q2的G、S电压为0-Vin=-Vin。当-Vin满足Q2的PMOS管的导通门限电压时，Q2导通，Vout输出导通。 𐟚栥𜀥…𓧮ᑱ可以选择NMOS或者NPN三极管，根据MCU的IO电压来选择。MOS管的开启电压要大于三极管的开启电压。 𐟚砩™流电阻R2的选值要根据MCU的IO电压、最大输出电流和开关管Q1的类型来选择。MOS管的限流电阻通常在几十𚧥ˆ민Œ三极管的限流电阻要根据MCU的IO电压/最大输出电流来计算，一般在k𚧥ˆ룀‚ 𐟔砤𘊤𘋧”𕩘𛒳可以作为上拉电阻或下拉电阻，这取决于VOUT的默认状态。在上电时，如果MCU还没准备好，需要一个电阻来固定电平。如果默认VOUT上电，那么R3就需要上拉，反之则是下拉。上拉的电压VCC是MCU的IO供电电压。 𐟒ᠥœ萍OS的GS之间并联一个电容C。当开启PMOS时，先给电容C充电，此时PMOS的VGS从0开始上升，PMOS经过可变电阻再到饱和区，可以防止开通瞬间后级电路中，各种因素导致PMOS被大电流冲击。 𐟔頇S电阻R1的选值在几十上百K𜌨ƒ𝦜‰效减小Q1导通时的功耗。不过这里要注意，R1给MOS的GS电容提供了放电回路，如果R1过大，就会导致MOS管关断速度变慢。

𐟔‹【反激变压器】RCD尖峰吸收电路详解𐟔犰Ÿ” 尖峰电压的产生：当MOS管从导通状态变为关闭状态时，变压器中储存的能量会转移到副边。然而，漏感中的能量无法直接转移到副边。由于漏感电流的方向不变，仍然是从右到左，而MOS管已经关闭，导致漏极电压逐渐升高。当电压达到311.7V时，二极管D1开始导通。 𐟔Œ 各器件的作用： D1：蓄流给C1充电。当漏感能量耗尽后，二极管D1截止，直到下一个周期MOS管导通再关闭时，漏感尖峰电压比C1电压高时才能重新导通。 C1：储存电荷，当漏感尖峰电压重新充电时，C1上的电压会被R1消耗，逐渐下降。 R1：在漏感能量释放完毕后（通常只占一个周期的3%时间），通过R1释放掉电容吸收的能量，将电容电压降下来，以便下一次漏感尖峰来之前再进行吸收。 𐟓 使用注意事项：漏感尖峰电压会被RCD吸收，漏感能量一定时，电容越大，充电电压越低，吸收能力越强，MOS漏极的电压就越低。在漏感能量释放完毕后，需要通过R1释放掉电容吸收的能量，将电容电压降下来，以便下一次漏感尖峰来之前再进行吸收。电容容量和电阻需要合理搭配，容量足够即可，能够吸收漏感尖峰电压，不至于超过MOS耐压。电阻需要足够小，小到在放电阶段把电容电压下降到MOS的电压平台。但是不能下降到电压平台以下，否则会浪费能量。 𐟓𘠤𛊥䩧š„需求是更换芯片并复用总线，任务艰巨。下次遇到类似情况时，需要更加冷静和专注。今天还定了生日写真，接下来要认真吃饭了。

MOSFET导通：VGS超VTH 在介绍MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理时，我们经常会听到一个概念：当栅极电压（VGS）超过阈值电压（VTH）时，沟道形成，MOS管导通。但为什么在实际应用中，我们更关注VGS与VTH的关系呢？首先，让我们回顾一下VGS和VTH之间的关系。MOS管的转移特性曲线可以直观地展示这种关系。当VGS大于VTH时，MOS管导通，电流可以通过；而当VGS小于VTH时，MOS管截止，电流几乎不会通过。因此，要实现MOS管的开关功能，确保VGS大于VTH是必要的。那么，为什么在实际计算和使用时，我们更关注VGS与VTH的关系呢？其实，这个关系可以通过一个简单的公式来表示：VGS = VTH + Vds。其中，Vds是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出，即使VGS略小于VTH，只要Vds足够大，也可以使MOS管导通。因此，在实际应用中，我们通常更关注Vds的大小，而不是VGS与VTH之间的差距。然而，栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通时，栅源电压（VGS）大于阈值电压（VTH），沟道形成，电流可以通过器件；而在MOS管截止时，栅源电压（VGS）小于阈值电压（VTH），沟道被堵塞，电流无法通过。总之，栅极电压与衬底电压之差大于阈值电压（VTH）是保证MOS管正常工作的必要条件，但并不足够决定MOS管的导通与截止。而栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系则直接影响MOS管的导通与截止。

NMOS管多场景应用，超强！大家好，今天我们来聊聊NMOS管在BMS、电机驱动和PD快充中的一些经典应用。这些应用不仅展示了NMOS管的强大功能，还帮助我们更好地理解和应用电子技术。 BMS（电池管理系统）𐟔‹ BMS的主要任务是管理和维护电池组，防止过充电和过放电，从而延长电池的使用寿命。它需要实时监控电池的电压、电流和温度等参数，确保电池组的安全性和可靠性。在BMS中，NMOS管扮演着至关重要的角色。它们可以作为电池组的开关元件，通过控制导通与截止来防止过充电和过放电。当电池电压达到设定值时，BMS会通过控制NMOS管的栅极电压来切断或恢复电池的充放电回路。如果在电池组中出现短路，BMS会迅速检测到异常电流，并通过控制NMOS管切断电池组与负载的连接，避免短路电流对电池和车辆造成损害。电机驱动𐟔犊电机驱动电路主要由电源、控制器和MOS管组成，用于控制各种家电设备的运行，如洗衣机、智能扫地机、电钻、空调和冰箱等。它们可以实现平稳的运动和精确的控制，提供舒适的使用体验。在电机驱动中，MOS管的开关功能用于保护电机和驱动电路免受损坏。保护电路会实时监测电机的运行状态，当电机出现过载、过流或过热等异常情况时，保护电路会及时切断电源或采取其他保护措施。 PD快充𐟔‹⚡ PD（Power Delivery）快充中，NMOS管主要用于控制充电电流的通断，实现快充过程中的高效能量转换和电流管理。通过控制NMOS管的栅极电压，可以精确地控制其导通与截止，从而调节充电电流的大小和方向，以满足快充设备对充电速度和效率的需求。在PD快充充电器中，NMOS管通常被用作VBUS（USB总线电源）开关或充电控制开关。当充电器连接到快充设备时，NMOS管会根据设备的充电需求调整其导通状态，从而控制充电电流的大小和流向。这些应用不仅展示了NMOS管的强大功能，还帮助我们更好地理解和应用电子技术。希望这篇文章能对你有所帮助！

电源板mos MOS管是一种常用的电子分立器件，通常有三个引脚：G（栅极）、D（漏极）和S（源极）。通过在G和S之间施加控制信号，可以改变D和S之间的导通和截止状态。PMOS和NMOS在结构上相似，但衬底和源漏的掺杂类型不同。NMOS在P型硅衬底上形成N型掺杂区作为源漏区，而PMOS则在N型硅衬底上形成P型掺杂区作为源漏区。本期介绍的是一款P沟道MOS管AO4435，它由合科泰生产，适用于电源、电机驱动、LED驱动、负载开关、模拟开关、高效率开关、电流调节、PWM应用和充电器等多种场合。 𐟔码O4435的特性 AO4435具有超低的导通电阻和栅极电荷，以及非常大的连续漏电流，适合大电流应用。它具有出色的电流和电压控制能力，开关速度快且效率高。当栅极施加电压时，电场控制沟道的导电性，从而调节漏源电流。AO4435的阈值电压相对较低，即使在低电压场景下也能实现关闭。具体参数如下：漏源电压-30V，栅源电压-25V，连续漏极电流-8A，漏源导通电阻0.018欧姆，最小栅极阈值电压-1.7V，最大栅极阈值电压-3V，耗散功率1.7W。 𐟓栤𚧥“封装 AO4435采用SOP-8封装形式，体积小，适合放置在尺寸较小的产品中。它具有高度集成、高效率和高可靠性等特点，紧凑型设计易于布局和焊接，散热性能表现优异。 𐟛 ️ AO4435的应用由于AO4435具备上述强大的特性，它在电源管理、电机驱动、LED驱动、负载开关、模拟开关、高效率开关、电流调节、PWM应用和充电器等场合都能发挥重要作用。例如，在电源管理中，AO4435用于电源开关和电流调整，很低的漏源导通电阻使得电流损耗小，大电流承受能力在稳压电路上起到稳定电压作用。此外，AO4435还可以在电源中用于电源开关，起到开关作用，如在DC-DC转换器中起到开关作用，控制电流的流动。在电机控制电路中，AO4435可以作为电机的驱动器件，调节电压的变化，控制电机的启停和转速。在LED照明系统中，AO4435可以用作LED驱动器，控制电流大小，实现对LED灯的亮度和开关控制。 AO4435在电路中起到调节电压电流、开关等作用，是电源和电机驱动等应用的理想选择。

科沃斯边刷电机不转？DIY修复！最近遇到个烦心事，科沃斯扫地机（DN36）的右边刷电机突然不转了。售后报价上千，说要换主板，心里真是咯噔一下。想着还是自己动手修吧，毕竟动手能丰衣足食嘛。拆卸步骤 𐟛 ️ 首先，把机器底面向上，把两个边刷拔下来。然后拆掉前撞缓冲板的8颗小螺丝，把固定片取下来。这样前撞缓冲板就能轻松移除了。接下来，卸下水箱，再拆掉后壳固定到前壳的6颗螺丝。这样上盖和主机就能拆开了，注意别一下子猛拉开上壳，靠近雷达那里有一根黑短线，别扯断了。拆解机器 𐟔犦‹🦎‰尘盒和地滚刷，机器就基本拆散了，里面的结构一目了然。将右边刷电机连接主板的线拔下，测一下其阻值，发现小于5欧姆（正常情况下，新电机200欧姆，老电机几十个欧姆）。然后把左边和右边电机互换位置，启动机器，发现左右都不转，看来原来那个右电机已经坏了，同时右电机驱动电路也有问题。修理过程 𐟔簟”犧”𕦜𚥏碌姛𔦎奜觽‘上买到，不到30块。主板表面有一层绝缘层，测量时需要刮掉绝缘层。在待机时，左右两侧电机供电12V都有，但一旦边刷启动，右侧电机上12V就会拉低到0V，说明驱动电路确实有问题。拆掉主板的两颗固定螺丝，拔掉所有插头，就能把主板拿下了。仔细察看主板，发现左边和右边刷电机驱动是通过主板上的两颗MOSFET实现开和关。静态阻值测量发现这两个MOSFET都是N沟道，DS和GS之间电阻都正常，保护二极管也没有问题。通电工作时，G极电压在1.9到3.17伏之间正常变动，说明控制信号已经正常送到MOSFET开关，只是右侧一打开，12V电压就降为0。那么显然右侧这个供电电压有问题了。还好，这个主板只是双面板，还能依靠万用表找出12V供电线路。发现12V从电池上出来，分两路，各通过一个保护电阻再去电机。左路这个电阻是0欧姆，右路这个电阻在300欧姆。那就不对了，因为电机阻值是相当低的，一旦MOS开关管导通后，12V供电电压几乎全部加载在这个电阻上了。将此电阻（背面R344）换掉，再通电，一切就正常了。总结 𐟓 通过这次修理，我学到了不少关于电机和电路的知识。虽然过程有点繁琐，但看到机器重新正常工作，心里还是挺有成就感的。希望我的经验能帮到同样遇到这个问题的小伙伴们！